PROM 与 EPROM 的区别

这些数据存储方法曾被用于 SD 卡和硬盘驱动器。然而，这些数据存储之间存在一些主要区别。ROM 的一种写入类型称为 PROM，用户只能写入一次，并且在此时通过电进行编程。EPROM 是 ROM 的一种形式，可以读写。EPROM 的存储持久性不如 PROM 的存储持久性，因为它更容易受到电噪声和辐射的影响。

在本文中，您将了解 PROM 和 EPROM 之间的区别。但在讨论区别之前，您必须了解 PROM 和 EPROM。

什么是 PROM？

PROM 的全称是 **可编程只读存储器 (Programmable Read-Only Memory)**。PROM 的设计是为了满足对可以包含特定内存内容的 ROM 集合的需求。PROM 内存只能写入一次，并且由用户在芯片原始制造过程中或之后通过电进行配置。用户提供必要的配置文件，然后将其插入称为 ROM 编程器的机器中。

PROM 使用双极晶体管构建，它们需要很大的功率但工作速度非常快。它具有出色的存储稳定性，这意味着位不会改变，除非 PROM 被重新连接到编程器并烧毁其他熔断器。PROM 在大规模生产时非常有用，并提供了便利性和灵活性。

PROM 的优点和缺点

PROM 有各种优点和缺点。PROM 的一些主要优点和缺点如下：

优点

1. 如今市场上有许多编程工具，因此您不必依赖硬接线 ROM 芯片进行编程。

缺点

1. 如果发生错误，PROM 数据可能无法编辑或重写。

什么是 EPROM？

EPROM 的全称是 **可擦除可编程只读存储器 (Erasable Programmable Read Only Memory)**，它可以光学（电学）读写。为了写入 EPROM，存储单元必须保持其初始状态。因此，在执行写入操作之前，会将封装好的芯片暴露在紫外线下以擦除存储单元。

擦除技术可以重复多次，一次擦除可能需要长达 **20 分钟**。EPROM 的存储持久性不如 PROM，因为它容易受到电噪声和辐射的影响。EPROM 最多可以重新编程 **1,000** 次，之后就会失去可靠性。它有一个石英窗口，可以透过紫外线。

MOS 晶体管是 EPROM 中使用的可编程元件。由被绝缘体包围的浮栅构成的晶体管。EPROM 通道在漏极和源极之间产生负电荷，并保持逻辑 1。由于栅极上的高电压，负电荷从通道中移出，然后这些电荷被捕获在浮栅中并保持逻辑 0。当浮栅表面暴露在紫外线下时，浮栅中的负电荷会转移回通道并恢复逻辑 1。这种现象被称为热电子注入。

EPROM 的优点和缺点

EPROM 有各种优点和缺点。EPROM 的一些主要优点和缺点如下：

优点

1. EPROM 能够擦除和重写程序。
2. EPROM 比 PROM 便宜。
3. EPROM 是一种非易失性存储器。

缺点

1. EPROM 无法擦除任何特定字节；如果您擦除一个字节，整个 EPROM 将被一次性擦除。
2. EPROM 使用大量静态功耗。
3. EPROM 存储芯片的数据删除需要更长时间。

PROM 和 EPROM 的主要区别

在这里，您将了解 PROM 和 EPROM 之间的主要区别。PROM 和 EPROM 的一些主要区别如下：

1. PROM 芯片只能编程一次。相比之下，EPROM 芯片是可重编程的。
2. EPROM 比 PROM 贵。
3. 电噪声和辐射不会影响 PROM 的存储持久性，而这些因素可能会影响 EPROM 的存储稳定性。此外，EPROM 存储可以保存信息或数据 10 年。
4. PROM 完全封装在塑料外壳中。另一方面，EPROM 由一个透明的石英窗保护，该窗允许紫外线通过。
5. PROM 具有持久内存，因此过程是不可逆的。另一方面，EPROM 内存不是持久的，因此您可以逆转存储过程。
6. PROM 更灵活和可扩展。另一方面，EPROM 的可扩展性和适应性较差。
7. PROM 具有长存储寿命。另一方面，EPROM 的存储寿命比 PROM 短。
8. PROM 是一种只能写入的 ROM。另一方面，EPROM 是一种可以通过光学方式读取和写入的 ROM。

PROM 和 EPROM 的逐项比较

在这里，您将了解 PROM 和 EPROM 之间的逐项比较。PROM 和 EPROM 的主要区别如下：

结论

总之，PROM 比 EPROM 便宜，但它只能编程一次，而 EPROM 可以编程多次，但必须将芯片从系统中取出才能擦除数据。